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Enhancement of Perpendicular Magnetic Anisotropy and Transmission of Spin-Hall-Effect-Induced Spin Currents by a Hf Spacer Layer in W/Hf/CoFeB/MgO Layer

机译:增强垂直磁各向异性和传输   W / Hf / CoFeB / mgO中Hf隔离层的自旋霍尔效应诱导自旋电流   层

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摘要

We report that strong perpendicular magnetic anisotropy of the ferromagneticlayer in a W/CoFeB/MgO multilayer structure can be established by inserting aHf layer as thin as 0.25 nm between the W and CoFeB layers. The Hf spacer alsoallows transmission of spin currents generated by an in-plane charge current inthe W layer to apply strong spin torque on the CoFeB, thereby enablingcurrent-driven magnetic switching. The antidamping-like and field-likecomponents of the spin torque exerted on a 1 nm CoFeB layer are of comparablemagnitudes in this geometry. Both components originate from the spin Halleffect in the underlying W layer.
机译:我们报告说,可以通过在W和CoFeB层之间插入0.25 nm薄的Hf层来建立W / CoFeB / MgO多层结构中铁磁层的强垂直磁各向异性。 Hf隔离层还允许传输由W层中的平面内充电电流生成的自旋电流,以在CoFeB上施加强大的自旋扭矩,从而实现电流驱动的磁开关。在此几何形状中,施加在1 nm CoFeB层上的自旋扭矩的抗阻尼类和场类分量具有可比的幅度。这两个分量都源自底层W层中的自旋Halleffect。

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